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本发明提供了一种电压比较电路，包括：比较器和基准电压产生电路，其中，所述比较器与所述基准电压产生电路复用；所述比较器包括第一PMOS场效应管MP1、第二PMOS场效应管MP2、第三PMOS场效应管MP3、第一偏置电流源Ib1、第二偏置电流源Ib2、以及第一晶体管Q1、第二晶体管Q2；所述基准电压产生电路包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第一电阻R1和第二电阻R2、第三晶体管Q3。当所述比较器翻转时，第二晶体管Q2的基极电压作为所述比较器的INN端的基准电压，且基准电压为第二电阻R2上的压降与第
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113364436 A
(43)申请公布日 2021.09.07
(21)申请号 202110703622.0
(22)申请日 2021.06.24
(71)申请人 中颖电子股份有限公司
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