一种制绒后晶硅片的处理方法及异质结电池的制备方法.pdfVIP

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2023-06-21 发布于四川
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一种制绒后晶硅片的处理方法及异质结电池的制备方法.pdf

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本发明提供了一种制绒后晶硅片的处理方法，包括将制绒后晶硅片放置在气氛炉内；对气氛炉内抽真空使气氛炉内压力小于第一压力；输入第一气体至气氛炉内，使气氛炉内压力大于第二压力，对制绒后晶硅片预处理；输入保护气体至气氛炉内，使气氛炉内压力大于第二压力，对制绒后晶硅片的表面生成气体保护膜；输入第二气体至气氛炉内，使气氛炉内压力升高至常压，将气氛炉内温度降至常温。其中，第一压力＜第二压力。通过第一气体、保护气体、第二气体对制绒后晶硅片进行处理，在制绒后晶硅片表面附着一层气体保护膜进行保护，延长制绒后晶硅片保

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363336 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110006131.0 (22)申请日 2021.01.04 (71)申请人宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企

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