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本发明提供了一种半导体存储器结构及其形成方法,该方法包含形成硬遮罩层于半导体基底之上,刻蚀硬遮罩层以形成多个第一遮罩图案和多个第二遮罩图案,将第一遮罩图案和第二遮罩图案转移至半导体基底以形成多个半导体区块,以及薄化第二遮罩图案。在薄化第二遮罩图案之后,第二遮罩图案的厚度小于第一遮罩图案的厚度。此方法还包含形成第一盖层横向延伸于第一遮罩图案和第二遮罩图案之上,以及刻蚀第一盖层和第二遮罩图案以形成多个接触开口。本发明能够提升半导体存储器装置的可靠性和制造良率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113363217 A
(43)申请公布日
2021.09.07
(21)申请号 20201
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