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半导体器件及其形成方法.pdfVIP

半导体器件及其形成方法.pdf

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    方法包括：在晶圆的第一导电部件上方形成晶种层，在该晶种层上形成图案化镀掩模，以及在该图案化镀掩模中的开口中镀第二导电部件。该镀包括执行多次镀循环，每个镀循环都包括使用第一镀电流密度执行的第一镀工艺，以及使用小于第一镀电流密度的第二镀电流密度执行的第二镀工艺。然后去除图案化镀掩模，并蚀刻晶种层。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363174 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110318654.9 H01L 23/485 (2006.01)

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