原创力文档- 1、本文档共13页，其中可免费阅读12页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明提供了一种硅碳负极极片的制备方法，首先将多孔硅与有机碳氮源等制备成浆料涂覆在集流体的表面，再进行热解处理，在集流体的表面原位生成氮掺杂的硅碳材料，形成硅碳负极极片，避免了将硅碳材料制备成浆料然后涂覆在集流体的表面这一过程中对硅碳材料的结构和形貌的破坏，并且氮掺杂的硅碳材料由于氮元素的掺杂，提升了硅碳负极极片的电子传导性和离子传导性，对涂布极片在保护性气体氛围下热解处理，将有机碳氮源碳化，同时也避免了负极集流体发生氧化。该制备方法得到的硅碳负极极片，硅碳材料的结构形貌均一性好，极片充放电过程
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113346050 A
(43)申请公布日 2021.09.03
(21)申请号 202110430746.6 H01M 4/62 (2006.01)
文档评论（0）