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本发明公开了一种测量套刻误差的方法及测试结构，可应用于晶圆套刻误差的测量。所述测试结构由第一光罩和第二光罩按预置套刻偏移量交叉叠加组合，所述预置套刻偏移量分为零偏移量、左偏移量及右偏移量。本发明通过设计的测试结构结合电学测量法来准确测量晶圆的套刻误差，相对于传统的光学测量法，本发明中的电学测量法更易于实现，测量值接近于真实的套刻误差，且不仅能表征晶圆在光刻工艺过程中表面产生的套刻误差，同时能从立体角度表征整体的套刻误差。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113296365 A
(43)申请公布日 2021.08.24
(21)申请号 202110106733.3
(22)申请日 2021.01.26
(66)本国优先权数据
2020115
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