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本发明的目的在于提高压接型半导体装置的制造性。本发明的压接型半导体装置具有：半导体芯片(3)，其具有第1主面以及与第1主面相对的面即第2主面，在第1主面具有保护环和栅极信号输入输出部；第1外部电极(1)，其形成于半导体芯片(3)的第1主面侧；导通图案(12)，其形成于第1外部电极(1)之上；触针(10)，其将栅极信号输入输出部与导通图案(12)进行连接；板状电极(4)，其设置于半导体芯片(3)的第2主面之上；碟形弹簧(7)，其设置于板状电极(4)之上；以及第2外部电极(8)，其设置于碟形弹簧(7
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113330580 A
(43)申请公布日 2021.08.31
(21)申请号 201980089339.4 (51)Int.Cl.
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