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一种低饱和电流的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管,包括P型衬底,在P型衬底上设有N型漂移区,在N型漂移区内设有P型体区和漏极N型重掺杂区,P型体区内设有源极P型重掺杂区和源极N型重掺杂区,源极P型重掺杂区和源极N型重掺杂区经源极金属引出共同构成器件的源极,漏极N型重掺杂区经漏极金属引出构成器件的漏极,在N型漂移区上方设有场氧,在场氧内设有多晶硅栅极和多晶硅场板,其特征在于,在N型漂移区还设有P‑top埋层,P‑top埋层通过源极金属连接到器件的源极,所述多晶硅场板起始于P‑top埋层上方并延
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113314591 A
(43)申请公布日 2021.08.27
(21)申请号 202110577494.X
(22)申请日 2021.05.26
(71)申请人 东南
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