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半导体制造装置具有：薄膜形成部(10)，具有腔室(11)，该腔室具备设置基板(17)的设置台(13)并将基板加热、并且导入使薄膜(18)在基板之上生长的供给气体；以及供给气体单元(20，30)，向腔室内导入供给气体。供给气体单元具有：供给配管(100a～100e，110a～110c)，供给来自气体导入源(21a～21e，31a～31c)的气体；原料用的流量控制器(22a～22e，32a～32c)；集合配管(101，111)，在比流量控制器靠下游侧生成混合气体；分配配管(102a～102e，112
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113302719 A
(43)申请公布日 2021.08.24
(21)申请号 201980088935.0 (74)专利代理机构 永新专利商标代理有限公司
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