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一种集成SBR的低损耗高压超结器件及其制备方法.pdfVIP

一种集成SBR的低损耗高压超结器件及其制备方法.pdf

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    本发明涉及超结器件领域，公开了一种集成SBR的低损耗高压超结器件及其制备方法，其技术方案要点是在超结MOS器件上集成有SBR二极管，超结MOS器件包括N型外延层、N型衬底片，N型衬底片的外侧设置有蒸发层；N型外延层的表面有第一氧化层，N型外延层的外侧内部设置有深沟槽，深沟槽内填设有P型掺杂部，N型外延层在对应于MOS有源区的位置形成P型体区部；在P型体区部外侧设置有栅氧化层，栅氧化层的外侧有多晶层，在P型体区部的外侧边沿和栅氧化层边沿两侧下方之间设置有源极结构层，多晶层和源极结构层的外侧沉积设置

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113314592 B (45)授权公告日 2023.04.11 (21)申请号 202110589057.X H01L 29/78 (2006.01)

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