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本公开提供一种半导体装置与其制作方法。半导体装置包括第一半导体鳍状物沿着第一方向延伸。半导体装置包括第二半导体鳍状物亦沿着第一方向延伸。半导体装置包括介电结构位于第一半导体鳍状物与第二半导体鳍状物之间。半导体装置包括栅极隔离结构，垂直地位于介电结构上。半导体装置包括金属栅极层沿着第二方向延伸，且第二方向垂直于第一方向，其中金属栅极层包括越过第一半导体鳍状物的第一部分，与越过第二半导体鳍状物的第二部分。栅极隔离结构使金属栅极层的第一部分与第二部分彼此分开，并包括底部延伸至介电结构中。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113314526 A
(43)申请公布日 2021.08.27
(21)申请号 202110457644.3
(22)申请日 2021.04.27
(30)优先权数据
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