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本发明提供一种自对准的场效应晶体管及其制备方法，于硅基外延层的表面和栅极多晶硅的表面依次形成第二氧化层和第二介质层，于栅极多晶硅两边的侧壁区域有侧壁的第二介质层，刻蚀第二介质层并保留侧壁的第二介质层，由侧壁的第二介质层形成接触孔的自对准，刻蚀第二氧化层和硅基外延层形成接触孔。可不通过光刻对准的方式形成有源区接触孔，而是采用侧壁介质层的形式形成有源区接触孔，在器件尺寸进一步缩小时，降低对准难度，优化器件的性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113299599 A
(43)申请公布日 2021.08.24
(21)申请号 202110374319.0 H01L 29/78 (2006.01)
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