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本发明公开了一种高功率激光应用的散热基座，其包括：基底，在基底上端面和下端面依序设置的紧密接触层和电极层，其中，位于基底上端面的电极层上还设有钎焊层，所述的基底为SiC成型。本方案通过巧妙性利用SiC，即碳化硅，来作为散热基座的基底材料，而碳化硅（热导率约为370W/m/K以上）的热导率远大于传统的AlN材料（热导率约为280W/m/K），其中，6HSiC热导率为480W/m/k；4HSiC热导率为370W/m/K，其远大于AlN的热导率280W/m/K，因此，以SiC为基底制备的散热基
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113328335 A
(43)申请公布日
2021.08.31
(21)申请号 20201
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