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2023-06-20 发布于四川
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这里公开了一种UV发光二极管。该UV发光二极管包括：第一导电型半导体层；第一应力调节层，设置在第一导电型半导体层上，并且包括第一氮化物层和第二氮化物层，其中，第一氮化物层包括Al，第二氮化物层设置在第一氮化物层上并且具有比第一氮化物层的Al组成比低的Al组成比；活性层，设置在第一应力调节层上；以及第二导电型半导体层，设置在活性层上，其中，第一应力调节层包括插入第一氮化物层中的Al增量层，插入Al增量层的第一氮化物层的下表面具有比直接设置在第一氮化物层上的第二氮化物层的下表面的平均拉应力大的平均拉

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113314649 A (43)申请公布日 2021.08.27 (21)申请号 202110491351.7 H01L 33/06 (2010.01)

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