原创力文档- 1、本文档共15页，其中可免费阅读14页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本公开提供一种基于拓扑绝缘体的量子点的实现方法、系统和介质。所述拓扑绝缘体为Bi2Se3，所述方法包括：步骤S1、计算所述拓扑绝缘体的哈密顿量的本征态；步骤S2、基于所述哈密顿量的本征态，获取厚度为五个原子层的所述拓扑绝缘体在高对称点的波函数空间分布；以及步骤S3、选择所述波函数空间分布中空穴型和电子型能带自旋向上的两个表面态，来生成基于所述拓扑绝缘体的量子比特平台。所述方法基于所述拓扑绝缘体实现量子计算，具有退相干时间长、保真度高的优点。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113313260 A
(43)申请公布日 2021.08.27
(21)申请号 202110575386.9
(22)申请日 2021.05.26
(71)申请人 中国电子技术标准化研究院
文档评论（0）