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提供抑制了反向偏置安全动作区域的降低的半导体装置。晶体管二极管形成于共通的半导体基板，半导体基板具有晶体管区域二极管区域、将晶体管区域及二极管区域包围的外周区域，晶体管区域由条状的多个栅极电极区分为多个晶体管单位单元区域，二极管区域由多个栅极电极区分为多个二极管单位单元区域，多个晶体管单位单元区域具有在半导体基板的第1主面侧设置的第1导电型的第3半导体层、在第3半导体层的上层部选择性地设置的第2导电型的第4半导体层及第5半导体层，第5半导体层设置为，与在外周区域设置的第1导电型的杂质层接触或侵入
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114284336 A
(43)申请公布日 2022.04.05
(21)申请号 202111113515.9
(22)申请日 2021.09.23
(30)优先权数据
2020-1672
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