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一种半导体存储器件包括:衬底;半导体图案,在所述衬底上在第一水平方向上延伸;位线,在所述衬底上在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸,所述位线位于所述半导体图案的第一端;字线,在所述半导体图案的侧部在所述衬底上在垂直方向上延伸;电容器结构,位于所述半导体图案的在所述第一水平方向上与所述第一端相对的第二端,所述电容器结构包括连接到所述半导体图案的下电极、与所述下电极间隔开的上电极以及位于所述下电极和所述上电极之间的电容器电介质层;以及电容器接触层,位于所述半导体图案的所述第二端和所述下电极之
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114171520 A
(43)申请公布日 2022.03.11
(21)申请号 202110938165.3
(22)申请日 2021.08.16
(30)优先权数据
10-2020-0
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