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形成半导体装置的方法.pdfVIP

形成半导体装置的方法.pdf

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    本文提到一种形成半导体装置的方法中所描述的多个双重图案化技术可以减少在一像素阵列中形成一深沟槽隔离(DTI)结构期间可能会以其他方式出现的拐角圆化、蚀刻负载及/或多个其他缺陷。该些双重图案化技术包含在多个图案化操作中在一第一方向上形成一第一沟槽集合及在一第二方向上形成一第二沟槽集合，以使得最小蚀刻负载及/或拐角圆化至无蚀刻负载及/或拐角圆化存在于该第一沟槽集合及该第二沟槽集合的该些相交处及/或附近。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114695410 A (43)申请公布日 2022.07.01 (21)申请号 202210026673.9 (22)申请日 2022.01.11 (30)优先权数据

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