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本申请涉及集成组件和形成集成组件的方法。一些实施例包含一种集成组件，其具有第一存储器区、第二存储器区和在所述存储器区之间的中间区。堆叠跨所述存储器区和所述中间区延伸。所述堆叠包含交替的导电层级和绝缘层级。沟道材料支柱布置在所述存储器区内。存储器块区跨所述存储器区和所述中间区纵向延伸。阶梯区处于所述中间区内。所述阶梯区中的每一者与所述存储器块区中的两者横向重叠。第一面板区跨所述阶梯区的至少部分纵向延伸。第二面板区在相邻存储器块区之间纵向延伸且提供横向间隔。所述第二面板区具有与所述第一面板区横向不同
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114725117 A
(43)申请公布日 2022.07.08
(21)申请号 202210001489.9 H01L 27/11575 (2017.01)
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