原创力文档- 1、本文档共70页，其中可免费阅读69页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器，涉及半导体芯片技术领域，旨在提高三维存储器的良率。半导体结构包括堆叠结构、多个连接部和多个接触部。堆叠结构包括交替层叠的多层栅极层和多层介质层。多个连接部，位于字线连接区；连接部包括远离堆叠结构的第一端面，第一端面呈中空的封闭形状。多个接触部位于字线连接区，一个接触部与一个第一端面接触，且接触部在参考面上的正投影的最大尺寸大于或等于第一端面的宽度。上述半导体结构应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114678369 A
(43)申请公布日 2022.06.28
(21)申请号 202210334271.5 H01L 27/11575 (2017.01)
文档评论（0）