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提供进一步降低了FWD动作时的恢复损耗的半导体装置。晶体管和二极管形成于共通的半导体基板，半导体基板具有晶体管区域和将它们包围的外周区域，晶体管区域被多个条状的栅极电极划分为形成沟道的多个沟道区域和不形成沟道的多个非沟道区域，多个非沟道区域具有第1半导体层、第2半导体层、第3半导体层、第5半导体层、第1电极和第2电极，第3半导体层以及第5半导体层经由接触孔而与第2电极电连接，第5半导体层以不与第1导电型的杂质层接触的方式而选择性地设置，该第1导电型的杂质层设置于外周区域而对与单元区域之间的边界进
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114284337 A
(43)申请公布日 2022.04.05
(21)申请号 202111128107.0
(22)申请日 2021.09.26
(30)优先权数据
2020-1672
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