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2023-06-17 发布于四川
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半导体装置及单片化方法.pdf

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一种单片化方法，将在上表面形成了多个半导体元件构造的晶片进行单片化，包括：第1工序，在上述晶片的上表面形成表面保持膜；第2工序，将上述晶片的下表面减薄加工；第3工序，从上述晶片的上表面将上述表面保持膜除去；第4工序，在被减薄加工后的上述晶片的下表面形成厚度为10μm以上的金属层；第5工序，向上述金属层的下表面粘贴切割带；第6工序，对上述晶片的上表面实施使上述晶片的表面的亲水性提高的处理；第7工序，在上述晶片的表面形成水溶性保护层；第8工序，向上述晶片的上表面的规定的区域照射激光而将上述金属层切断

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113964087 A (43)申请公布日 2022.01.21 (21)申请号 202111195720.4 H01L 21/304 (2006.01)

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