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一种半导体装置，包括：有源图案，其包括下部图案和在第一方向上与下部图案间隔开的片状图案；栅极结构，其位于下部图案上，并且包括围绕片状图案的栅电极，栅电极在垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及源极/漏极图案，其在下部图案上并且与片状图案接触。片状图案与源极/漏极图案之间的接触表面在第二方向上具有第一宽度，并且片状图案在第二方向上具有大于第一宽度的第二宽度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114725201 A
(43)申请公布日 2022.07.08
(21)申请号 202111493819.2
(22)申请日 2021.12.08
(30)优先权数据
10-2020-0170073
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