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一种半导体器件，包括：衬底，具有设置有沟道图案的有源区；器件隔离层，包括限定有源区的第一部、以及包围沟道图案的第一部分的第二部；上外延图案，设置在沟道图案的顶表面上；栅电极，包围沟道图案的第二部分并且在第一方向上延伸；栅间隔物，在栅电极上；层间介电层，在栅间隔物上；以及气隙，在栅电极的底表面和器件隔离层的第二部之间。气隙的至少一部分与栅电极竖直地重叠。沟道图案的第二部分高于沟道图案的第一部分。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114068530 A
(43)申请公布日 2022.02.18
(21)申请号 202110878115.0
(22)申请日 2021.07.30
(30)优先权数据
10-2020-0
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