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提供一种半导体设备封装及其制造方法。所述半导体设备封装包含第一导电结构、应力缓冲层和第二导电结构。所述第一导电结构包含衬底，以及安置在所述衬底上的第一电路层。所述第一电路层包含导电布线图案，且所述导电布线图案是所述第一电路层的最上部导电图案。所述应力缓冲结构安置在所述第一导电结构上。所述第二导电结构安置在所述应力缓冲结构上方。所述导电布线图案延伸穿过所述应力缓冲结构且电连接到所述第二导电结构，且所述导电布线图案的上表面与所述应力缓冲结构的上表面大体上共平面。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114050132 A
(43)申请公布日 2022.02.15
(21)申请号 202110102215.4 H01L 21/56 (2006.01)
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