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本公开实施例涉及一种集成芯片及其形成方法，集成芯片包括：衬底、第一图像感测元件及第二图像感测元件以及背侧深沟槽隔离(BDTI)结构。第一图像感测元件及第二图像感测元件彼此紧邻着布置在衬底之上，且具有第一掺杂类型。背侧深沟槽隔离结构布置在第一与第二图像感测元件之间，且包括第一隔离外延层、第二隔离外延层以及隔离填充结构。第一隔离外延层设定BDTI结构的最外侧壁且具有第一掺杂类型。第二隔离外延层沿着第一隔离外延层的内侧壁布置且具有与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型。隔离填充结构填充在第二隔离外延层的内侧
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114709229 A
(43)申请公布日 2022.07.05
(21)申请号 202110984748.X
(22)申请日 2021.08.24
(30)优先权数据
63/160,205 2021
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