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本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。三维存储器的制备方法包括：交替叠置第一绝缘层和第一牺牲层以形成第一叠层结构；在所述第一叠层结构中形成分别延伸至位于不同高度处的所述第一牺牲层的多个第一子接触孔；在所述第一叠层结构上交替叠置第二绝缘层和第二牺牲层以形成第二叠层结构；形成贯穿所述第二叠层结构并连接至所述第一子接触孔的多个第一延伸接触孔，并在所述第二叠层结构中形成分别延伸至位于不同高度处的所述第二牺牲层的多个第二接触孔；以及填充所述第一子接触孔和所述第一延伸接触孔以形成第一接触结构，并填充所述第
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114334988 A
(43)申请公布日 2022.04.12
(21)申请号 202111683655.X H01L 27/11582 (2017.01)
(22)申请日
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