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本公开涉及存储技术领域，提出一种半导体结构及其制作方法、控制方法，该半导体结构包括衬底基板、多条位线、多个主动体、绝缘体、多条字线。绝缘体位于所述衬底基板的一侧；多条位线设置于所述绝缘体内，多条所述位线沿第一方向间隔分布且沿第二方向延伸；多个所述主动体位于所述位线背离所述衬底基板的一侧，主动体在衬底基板的正投影与位线在衬底基板的正投影至少部分重合，且沿所述第二方向上间隔分布；多条字线位于所述绝缘体内，且位于所述位线背离所述衬底基板的一侧，所述字线沿所述第二方向间隔分布且沿第一方向延伸，且在第二方
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114141772 A
(43)申请公布日 2022.03.04
(21)申请号 202010921763.5
(22)申请日 2020.09.04
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
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