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本发明的实施方式提供一种能够优选地制造的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：衬底；导电层，在与衬底的表面交叉的第1方向上离开衬底而设置；及存储结构，在相对于第1方向垂直且包含导电层的一部分的第1面，外周面被导电层包围。存储结构具备：绝缘层；n(n为3以上的自然数)个半导体层，设置于导电层与绝缘层之间，在第1面彼此离开；及栅极绝缘膜，在第1面设置于导电层与n个半导体层之间。在第1面，将通过使到导电层的距离最短的绝缘层的外周面上的点且外接于绝缘层的正n角形的范围设为第1范围的情况下，n个半
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114093879 A
(43)申请公布日 2022.02.25
(21)申请号 202110198070.2
(22)申请日 2021.02.22
(30)优先权数据
2020-1406
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