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本公开提供了一种半导体结构的形成方法。半导体结构的形成方法包括提供具有基板的装置、在基板上方的第一介电层以及在第一介电层之上的第一导电部件，第一导电部件包括第一金属，上述第一金属为贵金属。此方法还包括在第一介电层上方沉积第二介电层并至少覆盖第一导电部件的侧壁；以及蚀刻第二介电层以形成沟槽；并在沟槽中形成第二导电部件。第二导电部件包括与第一金属不同的第二金属。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113270362 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202110156298.5
(22)申请日 2021.02.04
(30)优先权数据
16/837,76
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