半导体装置及其制造方法.pdfVIP

半导体装置及其制造方法.pdf

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本揭露的一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包含通道层、栅极结构、源极/漏极磊晶结构及栅极贯孔。栅极结构包围通道层。栅极结构包含栅极介电层及在栅极介电层上的栅极电极。源极/漏极磊晶结构是相邻于栅极结构，并电性连接至通道层。栅极贯孔是在栅极结构下，并接触栅极电极的底表面。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114783949 A (43)申请公布日 2022.07.22 (21)申请号 202210015011.1 (22)申请日 2022.01.07 (30)优先权数据

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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