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本发明提供了一种二极管元胞结构,包括N+衬底,N+衬底的背面设有背金属层,N+衬底的正面依次设有N‑外延区、栅氧层、多晶硅、金属化层;所述N‑外延区的正面中部嵌入有P型基区,金属化层的背面设有凸起部,凸起部嵌入P型基区,凸起部周围设有N+区,N+区和P型基区的正面均被栅氧层覆盖。采用本发明的二极管元胞结构的二极管芯片,相比于PN结结构,具备导通电压更低、反向恢复时间更短等优点;相比于肖特基二极管,具有高温特性好、漏电小、正温度系数等优点;另外,本发明导通压降小,能耗低,产热量小,耐用性强。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113270503 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202110491421.9
(22)申请日 2021.05.06
(71)申请人 中国振华集团永光电子有限公司
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