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半导体配置的形成方法.pdfVIP

半导体配置的形成方法.pdf

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    本公开提供一种半导体配置的形成方法。上述半导体配置包括基板上方的第一介电层，第一介电层上方的金属层，穿过金属层和第一介电层的第一导电结构，穿过金属层和第一介电层的第二导电结构以及将第一导电结构耦合到第二导电结构的第三导电结构，且第三导电结构覆盖在第一导电结构和第二导电结构之间的金属层之第一部分上方，其中金属层和第一导电结构或第二导电结构中的至少一个之间存在界面。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113270311 A (43)申请公布日 2021.08.17 (21)申请号 202110268584.0 (22)申请日 2021.03.12 (30)优先权数据 16/837,08

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