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本申请公开了一种金属硅化物层的形成方法，包括：提供一晶圆，晶圆上形成有半导体器件的栅极和栅氧；通入含氟元素的反应气体对刻蚀设备的腔体内的附着物进行刻蚀清除，刻蚀清除过程中的功率为15瓦至50瓦；在晶圆上沉积金属层，进行热处理，使金属层中的金属与栅极和所述晶圆衬底中的硅反应生成金属硅化物层；进行刻蚀，去除金属层，保留金属硅化物层。本申请在半导体器件的金属硅化物层的刻蚀过程中，通过通入含氟元素的反应气体在15瓦至50瓦的功率下对刻蚀设备的腔体内的附着物进行刻蚀清除，解决了相关技术中提供的通过SiCo
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113205994 B
(45)授权公告日 2022.07.19
(21)申请号 202110446856.1 审查员 廉海峰
(22)申请日 2021.04.25
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