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一种大尺寸硒化锑单晶体材料的制备方法，依次进行硒化锑多晶原料的合成和硒化锑单晶体的生长，所述硒化锑单晶体的生长是将硒化锑多晶原料密封于石英安瓿中，置于晶体生长炉中，高温区温度控制为710~750℃，低温区控制为400~420℃，梯度区长度约为15cm，温度梯度控制在20~24℃/cm，结晶界面附近温度梯度为8~15℃/cm。本发明制备的大尺寸硒化锑单晶体由1个单粒构成的单晶体，晶粒尺寸达到5.3cm以上，在用于制备太阳能电池时，本发明制备的硒化锑通过切割、抛光等处理依然能得到光滑的表面，不容易出
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113235166 B
(45)授权公告日 2022.05.27
(21)申请号 202110520744.6 审查员 游巧
(22)申请日 2021.05.13
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