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公开了具有渐变外延分布的电荷补偿MOSFET及其制造方法。一种竖向功率半导体晶体管器件，包括：第一导电类型的漏极区；第二导电类型的本体区；将本体区与漏极区分离的第一导电类型的漂移区；被通过本体区与漂移区分离的第一导电类型的源极区；栅极沟槽，其延伸通过源极区和本体区并且进入到漂移区中，栅极沟槽包括栅极电极；以及在栅极沟槽中或者在分离的沟槽中的场电极。漂移区具有从本体区朝向包括场电极的沟槽的底部增加的一般地线性渐变的第一掺杂分布，以及以比第一掺杂分布大的比率从第一掺杂分布的端部朝向漏极区增加的渐变的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113224128 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 202110158185.9
(22)申请日 2021.02.05
(30)优先权数据
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