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本发明提供一种闪存存储器的制造方法，在刻蚀栅堆叠层之前，利用图形化的光刻胶层覆盖形成于冗余区上的冗余结构，并延伸覆盖与所述冗余区相邻的外围区，如此，后续对所述栅堆叠层进行刻蚀时，不会刻蚀到所述冗余结构与所述外围区之间的所述堆叠刻蚀，使得所述冗余区与所述外围区邻近之边缘处不会有刻蚀残留物，从而可避免出现刻蚀残留物剥落至存储区，使得闪存存储器的数据保持能力得以提高。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113192957 A
(43)申请公布日 2021.07.30
(21)申请号 202110459685.6
(22)申请日 2021.04.27
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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