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本发明提供了一种半导体器件，包括：基底，具有第一区域和第二区域，所述第一区域位于相邻的两个所述第二区域之间；三个子漏区，位于所述基底的第一区域内；两个dummy结构，分别位于相邻两个所述子漏区之间的所述基底上；源区，位于所述基底的第二区域内；栅极结构，位于所述第一区域和第二区域之间的所述基底上；本发明通过所述dummy结构来提高器件的ESD能力，且无需现有技术的SAB光罩也不需引入新的工艺流程，能够直接在制造工艺中同步形成所述dummy结构，以降低器件的制造成本。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113192949 A
(43)申请公布日 2021.07.30
(21)申请号 202110459666.3
(22)申请日 2021.04.27
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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