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公开了3D存储器件以及用于形成其方法的实施例。在示例中，3D存储器件包括衬底、处于衬底上的外围电路、处于外围电路上方的包括交替的导电层和电介质层的存储堆叠体、处于存储堆叠体上方的N型掺杂半导体层、各自垂直地贯穿存储堆叠体延伸到N型掺杂半导体层中的多个沟道结构、以及处于存储堆叠体上方并且与N型掺杂半导体层接触的源极接触部。所述多个沟道结构的每一者的上端与N型掺杂半导体层的顶表面平齐或处于其下方。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113192968 A
(43)申请公布日 2021.07.30
(21)申请号 202110490423.6 H01L 27/11582 (2017.01)
(22)申请日
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