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本申请公开了一种碳化硅晶体的制备方法，属于半导体材料制备领域。该方法包括：提供反应腔、长晶腔和除料机构，所述反应腔包括原料腔和废料腔，将碳化硅原料装入所述原料腔；长晶阶段：控制长晶条件，所述原料腔内的原料升华产生的原料气经气相传输通道传输至长晶腔进行长晶，当碳化硅原料升华率为第一升华率时，启动除料机构，所述除料机构将所述反应腔内原料升华后产生的废料转移至所述废料腔，所述原料腔内的剩余原料在该长晶条件下继续升华进行长晶，除料机构持续除料至长晶结束，即制得所述碳化硅晶体。本申请可以提高原料的升华速率
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113151900 B
(45)授权公告日 2022.07.12
(21)申请号 202110484763.8 审查员 游巧
(22)申请日 2021.04.30
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