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一种大尺寸半导体单晶生长系统，属于单晶制备领域，具体涉及晶体生长装置，特别涉及大尺寸尤其是超长长度晶体的生长系统。系统包括2个或2个以上的主体立柱，设置在主体立柱之间的主炉体，主炉体为开放的圆筒，系统还包括与主炉体配合的晶体生长空间的控制装置以及设置在隔板上的原料注入装置。采用本装置，炉体随着晶体的长大而伸长，减小热场对流对晶体质量的影响；原料注入装置可以实现对承载注入系统的冷却，可以在较小的坩埚内通过原料注入实现连续合成进行晶体生长，节约能源和相关的耗材。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113174630 B
(45)授权公告日 2022.08.19
(21)申请号 202110376840.8 (51)Int.Cl.
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