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本发明涉及一种碳碳化硅陶瓷靶坯的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：将碳‑碳化硅复合粉装模进行冷压，之后依次进行热压烧结和降温，得到所述碳碳化硅陶瓷靶坯；所述碳‑碳化硅复合粉中颗粒的球形度为0.8‑1，粒度为120‑180μm；所述热压烧结包括依次进行的第一保温、第二保温和保温保压。通过对制备过程中原料球形度及配比的控制，并采用预先冷压的方式实现了高性能的靶坯的制备，制备得到的靶坯和背板焊接时可以实现良好的浸润，进而保证靶材和背板可以实现良好的焊接，焊接结合率高达99％及以上，致密度可达99％以
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113135756 B
(45)授权公告日 2022.08.16
(21)申请号 202110454130.2 C04B 35/622 (2006.01)
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