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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体区，设置在第一导电类型半导体层的第一表面内；第一导电类型半导体区，设置在第二导电类型半导体区内；漂移区，设置在第一导电类型半导体层的第一表面上，漂移区是第一导电类型；阱区，设置在漂移区内，且与第一导电类型半导体区接触，阱区是第二导电类型；栅极绝缘层，至少形成在阱区侧面，且与第一导电类型半导体区接触；栅极，设置在栅极绝缘层上；源极，设置在第一导电类型半导体区上。该半导体器件栅极绝缘层的尖角设置在第一半
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113140633 B
(45)授权公告日 2022.05.24
(21)申请号 202010055754.2 H01L 29/10 (2006.01)
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