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本发明提供了一种层状三元过渡金属碲化物单晶体的制备方法，包括以下步骤：将X粉末、M粉末、碲粉末与输运剂在真空密闭的环境中加热，反应，得到如式(Ⅰ)所示的层状三元过渡金属碲化物单晶体；本发明制备的层状三元过渡金属碲化物基单晶体可生长为针状单晶，带状单晶或片状单晶。本发明提供的制备方法具有工艺简单可行、产率高、结晶性好且可扩大规模生产的优点，非常适用于三元碲化物的基础研究和实际应用。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113136624 A
(43)申请公布日
2021.07.20
(21)申请号 20201
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