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本发明提供一种对于绝缘击穿耐压高的薄膜,通过绝缘击穿稳定地形成单一的纳米孔的技术。本公开的纳米孔形成方法的特征在于,包括:在第一水溶液和第二水溶液间配置SiNx膜;使第一电极与上述第一水溶液接触,使第二电极与上述第二水溶液接触;以及对于上述第一电极和上述第二电极施加电压,上述SiNx膜的组成比为1<x<4/3,上述第一水溶液和上述第二水溶液的至少任一者的pH为10以上。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113164899 A
(43)申请公布日 2021.07.23
(21)申请号 201980076376.1 (74)专利代理机构 北京银龙知识产权代理有限
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