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本发明提供半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质。本发明能够在成膜工序中选择性地形成膜。本发明提供一种半导体装置的制造方法，具有：(a)对容纳基板的处理室供给处理气体，在基板上选择性地形成膜的工序，所述基板在局部具有对于处理气体的吸附赋予选择性的抑制层，(b)向不存在基板的处理室内供给具有抑制层所含成分的清扫气体的工序，(c)将处理室内的清扫气体的残留成分除去的工序。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113130293 A
(43)申请公布日
2021.07.16
(21)申请号 20201
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