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一种量子点及其制备方法与量子点发光二极管.pdfVIP

一种量子点及其制备方法与量子点发光二极管.pdf

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    本发明公开一种量子点及其制备方法与量子点发光二极管，其中所述量子点具有核壳结构，所述量子点的壳层厚度为0.1‑1nm。本发明通过适当增加壳层，使壳层厚度控制在0.1‑1nm，以调节本征发光峰和缺陷态发光峰的强度比例，从而获得所需色温的白光。本发明还可通过在量子点的核表面掺杂第二阴离子元素，调节核表面的第一阴离子元素与第二阴离子元素的质量比例，从而调节缺陷态发光峰的峰位，获得所需色温的白光。本发明通过调控量子点合成途径，获得可以发射白光的量子点，并采用单层的器件结构，在仅仅使用一种量子点，即可以实

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113122243 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 20191

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