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本发明涉及一种硅基液晶面板及其设计方法和制备方法，通过获得硅基液晶面板的目标指标，并将所述目标指标分解的方式，分别对所述硅基液晶面板的上基板、下基板以及液晶盒分别进行设计，最后通过在上基板上蒸镀形成增透膜，并在下基板蒸镀形成高反膜的方式，综合实现对硅基液晶面板的光利用率的有效提升，以此提升使用所述硅基液晶面板的产品的光利用率，有利于增强硅基液晶面板的适用范围，而且本发明的所述硅基液晶面板的制备方在硅基板封装前进行镀膜处理，无需改变现有的硅基板的结构，制备方法简单，易于实现，有利于采用较低的生产成
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113139279 A
(43)申请公布日 2021.07.20
(21)申请号 202110393513.3
(22)申请日 2021.04.13
(71)申请人 西安中科微星光电科技有限公司
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