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一种MRAM存储器及MRAM阵列读取电路，所述MRAM阵列读取电路包括追踪延时电路、字线驱动电路和灵敏放大器；所述追踪延时电路的输入端与预设的时钟脉冲信号耦接，所述追踪延时电路的第一延时输出端与字线驱动电路耦接，所述追踪延时电路的第二延时输出端与所述灵敏放大器的使能端耦接，适于在所述时钟脉冲信号有效时，通过追踪MRAM阵列的阵列位线的放电过程对所述时钟脉冲信号分别进行第一延时和第二延时，生成第一延时信号和第二延时信号，分别作为MRAM阵列的阵列字线开启信号和灵敏放大器的使能信号。上述的方案，可以
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113140241 A
(43)申请公布日
2021.07.20
(21)申请号 20201
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