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一种高响应度的硅基场效应管太赫兹探测器，属于太赫兹探测技术领域。包括减寄生嵌套型衬底、源极区域、漏极区域和栅极区域，减寄生嵌套型衬底包括工作区与减寄生区，工作区位于减寄生区上方，且位于源区与漏区之间；源极区域包括源区与源电极，漏极区域包括漏区与漏电极，栅极区域包括栅氧化层与栅电极。本发明采用减寄生嵌套型衬底，有效提高了探测器的响应度，优化了器件性能；并且与CMOS工艺兼容，具有集成度高、成本低、技术成熟的优势，具有极高的应用价值与潜力。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113078233 A
(43)申请公布日 2021.07.06
(21)申请号 202110239270.8
(22)申请日 2021.03.04
(71)申请人 电子科技大学
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